概述:
基于IGBT芯片的高压电容取电智能电原，主电路工作状态由IGBT控制，高低压隔离采用光电隔离技术。具有取电功率大，输出功率自主智能控制，体积小，效率高，抗谐振，抗过压能力强，高低压隔离性能好等优点。可用于电网、高铁、光伏、电动汽车领域。
指标:
额定一次工作电压10kV。工频耐受电压45kV/1min。冲击电压1.2/50us/75kV
局部放电＜10pC(测试电压14.4kV）。初次级隔离电压45kV/1min。工作频率50士3Hz
温度范围-40℃-70℃。输出电压DC27.5V。启动电压3.5kV。绝缘电阻≥1000MΩ
额定输出功率150W自适应
